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图书信息
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多尺度模拟方法在半导体材料位移损伤研究中的应用
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| ISBN： | 9787030764690 |
定价： | ￥150.00 |
| 作者： | 贺朝会[等]著 |
出版社： | 科学出版社 |
| 出版时间： | 2023年09月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 198页 |
装祯： | 平装 |
中图法： | TN304 |
相关供货商
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北京人天书店有限公司
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26
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库区7/样本7
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2025-10-31
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其它供货商库存合计
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202
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2025-10-31
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图书简介 | | 本书从位移损伤的概念和特点入手，引入位移损伤缺陷的产生及演化模拟研究涉及的模拟方法，系统介绍了不同尺度的模拟方法，包括辐射与材料相互作用模拟方法、分子动力学方法、动力学蒙特卡罗方法、第一性原理方法、器件电学性能模拟方法等，并分别给出了多尺度模拟方法在硅、砷化镓、碳化硅、氨化镓材料位移损伤研究中的应用，实例展示多尺度模拟方法的具体应用，期望帮助相关科研人员掌握多尺度模拟方法。此外，不同于多尺度模拟方法的简单教程，本书通过多尺度模拟研究揭示的位移损伤规律更具学术意义，研究成果对理解辐射在半导体材料中的位移损伤机理有重要价值。 |
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