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图书信息
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氧化镓半导体器件
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| ISBN： | 9787560664309 |
定价： | ￥128.00 |
| 作者： | 龙世兵，叶建东，吕元杰著 |
出版社： | 西安电子科技大学出版社 |
| 出版时间： | 2022年09月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 396页 |
装祯： | 精装 |
中图法： | TN303 |
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更新日期
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其它供货商库存合计
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313
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2025-09-05
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图书简介 | | 本书主要介绍近几年发展较快的氧化镓半导体器件。氧化镓作为新型的超宽禁带半导体材料，在高耐压功率电子器件、紫外光电探测器件等方面都具有重要的应用前景。本书共分为7章，第1-4章(氧化镓材料部分)介绍了氧化镓半导体材料的基本结构，单晶生长和薄膜外延方法，电学特性，氧化镓材料与金属、其他半导体的接触，氧化镓材料的刻蚀、离子注入、缺陷修复等内容；第5-7章(氧化镓器件部分)介绍了氧化镓二极管器件的应用方向、器件类型及其发展历程，氧化镓场效应晶体管的工作原理、性能指标、器件类型、发展历程以及今后的发展方向，氧化镓日盲深紫外光电探测器的工作原理、器件类型、成像技术等。 |
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