同类推荐
-
-
半导体器件物理实验教程
-
¥69.00
-
-
IGBT器件:物理、设计与应用
-
¥198.00
-
-
IGBT器件——物理、设计与应用（原书第2版）
-
¥198.00
-
-
功率半导体器件封装技术
-
¥99.00
-
-
泛谈半导体
-
¥128.00
-
-
泛谈半导体
-
¥128.00
-
-
泛谈半导体
-
¥128.00
-
-
新一代功率半导体研发与应用精讲
-
¥109.00
-
-
氮化镓与碳化硅功率器件:基础原理及应用全解:from …
-
¥99.00
-
-
半导体技术初探
-
¥89.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
氮化镓电子器件热管理
|
| ISBN： | 9787111764557 |
定价： | ￥168.00 |
| 作者： | (美)马尔科·J.塔德尔(Marko J. Tadjer)，(美)特拉维斯·J.安德森(Travis J. Anderson)主编 |
出版社： | 机械工业出版社 |
| 出版时间： | 2025年01月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 14,415页 |
装祯： | 平装 |
中图法： | TN303 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
北京人天书店有限公司
|
72
|
库区2/库区4/库区7/样本13/样本4/样本7
|
2025-10-28
|
|
其它供货商库存合计
|
229
|
|
2025-10-28
|
图书简介 | | 本书具体内容包括宽禁带半导体器件中的热问题、氮化镓(GaN)及相关材料的第一性原理热输运建模、多晶金刚石从介观尺度到纳米尺度的热输运、固体界面热输运基本理论、氮化镓界面热导上限的预测和测量、AlGaN/GaN HEMT器件物理与电热建模、氮化镓器件中热特性建模、AlGaN/GaN HEMT器件级建模仿真、基于电学法的热表征技术——栅电阻测温法、超晶格城堡形场效应晶体管的热特性、用于氮化镓器件高分辨率热成像的瞬态热反射率法、热匹配QST衬底技术、用于电子器件散热的低应力纳米金刚石薄膜、金刚石基氮化镓材料及器件技术综述、金刚石与氮化镓的三维集成、基于室温键合形成的高导热半导体界面、AlGaN/GaN器件在金刚石衬底上直接低温键合技术、氮化镓电子器件的微流体冷却技术、氮化镓热管理技术在Ga2O3整流器和MOSFET中的应用。 |
|