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图书信息
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有机场效应晶体管:原理及半导体材料:principles and semiconductor materials
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| ISBN： | 9787030840073 |
定价： | ￥128.00 |
| 作者： | 何学侠，姜辉，胡鹏著 |
出版社： | 科学出版社 |
| 出版时间： | 2026年09月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 257页 |
装祯： | 精装 |
中图法： | TN386 |
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2026-10-22
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图书简介 | | 场效应晶体管是利用电场来控制固体材料导电性能的有源器件。由于其所具有体积小、重量轻、功耗低、热稳定性好、无二次击穿现象以及安全工作区域宽等优点，现已成为微电子行业中的重要元件之一。目前无机场效应晶体管已经接近小型化的自然极限，而且价格较高，在制备大表面积器件时还存在诸多问题。因此，人们自然地想到利用有机材料作为FET的活性材料。自1986年报道第一个有机场效应晶体管(OFET)以来，OFET研究得到快速发展，并取得重大突破。本书共分为7章，用英文系统、全面地介绍了有机场效应晶体管的原理、所用材料类型及其实际应用等。 |
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