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图书信息
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压电电子学隧道结器件
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| ISBN： | 9787522144733 |
定价： | ￥86.00 |
| 作者： | 于秋红著 |
出版社： | 中国原子能出版社 |
| 出版时间： | 2025年09月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 160页 |
中图法： | TN303 |
相关供货商
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更新日期
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300
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2026-11-09
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图书简介 | | 本研究通过在单根ZnO纳米线上沉积原子级厚度HfO绝缘层，成功制备了AgHfOn-ZnO隧道结，构建了新型压电电子学隧道结应变传感器(PTSS)。该传感器巧妙利用应变诱导的压电极化电荷，实现对隧道结势垒高度和宽度的并行调控，从而协同优化器件的电输运特性。PTSS展现出卓越的传感性能，实现了478.4的优异开关电流比和4.8×10的超高应变灵敏度，性能较传统传感器显著提升17.8倍以上。通过系统的I-V特性分析，本工作确定了1.82nm的最佳绝缘层厚度参数。此外，本研究还探索了脉冲电压驱动氧空位迁移调控隧道结势垒高度的物理现象。本工作不仅深化了压电极化对压电电子学隧道结调控机理的认识，更为高性能微纳机电系统的设计与制备提供了重要的理论基础。 |
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