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图书信息
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半导体器件物理
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| ISBN: | 9787040657821 |
定价: | ¥99.00 |
| 作者: | 郝跃主编 |
出版社: | 高等教育出版社 |
| 出版时间: | 2025年12月 |
开本: | 26cm |
| 页数: | 10,528页 |
装祯: | 精装 |
中图法: | TN303 |
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2026-05-20
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图书简介 | | 本书共10章,分为两大部分。第一部分共6章,系统阐释半导体器件物理基础,涵盖集成电路中基本器件PN结二极管、双极晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET以及适用于纳米工艺节点的FinFET、GAA、CFET等核心器件的理论框架基本结构、工作原理以及电特性,构建完整知识图谱;第二部分共4章,重点解析射频器件、功率器件、光电探测器件以及半导体存储器件等特殊功能器件的结构、原理和前沿技术。 |
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