同类推荐
-
-
图解功率半导体
-
¥79.00
-
-
图解功率半导体
-
¥79.00
-
-
图解功率半导体
-
¥79.00
-
-
碳化硅MOSFET封装、驱动及应用
-
¥79.00
-
-
碳化硅MOSFET封装、驱动及应用
-
¥79.00
-
-
碳化硅MOSFET封装、驱动及应用
-
¥79.00
-
-
超宽禁带半导体金刚石单晶材料和场效应晶体管
-
¥139.00
-
-
超宽禁带半导体金刚石单晶材料和场效应晶体管
-
¥139.00
-
-
超宽禁带半导体金刚石单晶材料和场效应晶体管
-
¥139.00
-
-
功率半导体器件原理及设计
-
¥69.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
铁电负电容场效应晶体管
|
| ISBN： | 9787115661357 |
定价： | ￥149.00 |
| 作者： | 周久人，韩根全，郝跃著 |
出版社： | 人民邮电出版社 |
| 出版时间： | 2025年06月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 240页 |
装祯： | 精装 |
中图法： | TN386 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
北京人天书店有限公司
|
54
|
库区13/库区4/样本13
|
2026-02-15
|
|
其它供货商库存合计
|
283
|
|
2026-02-13
|
图书简介 | | 本书第1章概述集成电路产业对低功耗应用的迫切需求，进而明确铁电负电容场效应晶体管发展的必要性。随后第2章和第3章分别论述氧化铪基铁电材料和铁电负电容场效应晶体管的概念及其发展历程。基于以上理论与技术，第4章至第7章深人探讨铁电负电容场效应晶体管的基本电学特性、电容匹配原则、NDR效应和频率响应特性等关键技术问题。此外，本书第8章还讨论了负电容效应存在性和本质等本源问题。 |
|