同类推荐
-
-
氮化镓与碳化硅功率器件:基础原理及应用全解:from …
-
¥99.00
-
-
SMT基础与工艺项目教程
-
¥65.00
-
-
半导体微缩图形化与下一代光刻技术精讲
-
¥99.00
-
-
薄膜晶体管材料与技术
-
¥49.00
-
-
碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术
-
¥149.00
-
-
半导体存储与系统
-
¥129.00
-
-
半导体器件基础
-
¥139.00
-
-
LED背光源技术
-
¥58.00
-
-
半导体器件物理基础
-
¥88.00
-
-
半导体器件建模与测试实验教程:基于华大九天器件建模与验…
-
¥58.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
铁电负电容场效应晶体管
|
| ISBN： | 9787115661357 |
定价： | ￥149.00 |
| 作者： | 周久人，韩根全，郝跃著 |
出版社： | 人民邮电出版社 |
| 出版时间： | 2025年06月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 240页 |
装祯： | 精装 |
中图法： | TN386 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
北京人天书店有限公司
|
1
|
库区4
|
2025-06-24
|
|
其它供货商库存合计
|
499
|
|
2025-06-24
|
图书简介 | | 本书第1章概述集成电路产业对低功耗应用的迫切需求，进而明确铁电负电容场效应晶体管发展的必要性。随后第2章和第3章分别论述氧化铪基铁电材料和铁电负电容场效应晶体管的概念及其发展历程。基于以上理论与技术，第4章至第7章深人探讨铁电负电容场效应晶体管的基本电学特性、电容匹配原则、NDR效应和频率响应特性等关键技术问题。此外，本书第8章还讨论了负电容效应存在性和本质等本源问题。 |
|