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图书信息
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碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术
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| ISBN： | 9787111778936 |
定价： | ￥149.00 |
| 作者： | 高远，张岩编著 |
出版社： | 机械工业出版社 |
| 出版时间： | 2025年04月 |
版次： | 2版 |
| 开本： | 24cm |
页数： | 19,536页 |
| 装祯： | 平装 |
中图法： | TN303 |
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北京人天书店有限公司
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2026-06-16
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图书简介 | | 本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果，详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章，内容涵盖功率半导体器件基础，SiC二极管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件与Si器件特性对比，双脉冲测试技术，SiC器件的测试、分析和评估技术，高di/dt影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——串扰，高dv/dt影响与应对——共模电流，共源极电感影响与应对，驱动电路，SiC器件的主要应用。 |
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