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图书信息
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超低功耗半导体器件与技术
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| ISBN： | 9787111812401 |
定价： | ￥99.00 |
| 作者： | (印)D.尼玛尔(D. Nirmal)，(印)J.阿加延(J. Ajayan)，(美)帕特里克·J.费伊(Patrick J. Fay)主编 |
出版社： | 机械工业出版社 |
| 出版时间： | 2026年07月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 222页 |
装祯： | 平装 |
中图法： | TN303 |
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520
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2026-08-10
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图书简介 | | 本书首先详尽介绍了纳米级CMOS技术晶体管的演进过程，细致剖析了FinFET等新型结构的优势与局限性，并探讨了负电容场效应晶体管(NCFET)、隧道场效应晶体管(TFET)等先进器件的原理及其性能。随后，围绕碳纳米管、石墨烯等二维材料及其在TFET中的应用展开论述，深入分析了这些材料的载流子传输特性及在器件优化方面的技术要点。此外，书中还讨论了Ge及SiGeFinFET在低功耗应用中的性能提升、自热效应及其制造过程中面临的挑战，并探讨了Ⅲ-Ⅴ族FinFET的开关特性及其数学建模方法。全书综合材料特性、器件结构及制造工艺等多方面因素，为超低功耗电子设备的半导体技术发展提供了丰富的理论与实践参考。 |
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