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图书信息
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氮化镓半导体材料及器件
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| ISBN： | 9787560673851 |
定价： | ￥108.00 |
| 作者： | 张进成[等]著 |
出版社： | 西安电子科技大学出版社 |
| 出版时间： | 2024年10月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 329页 |
装祯： | 精装 |
中图法： | TN304 |
相关供货商
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北京人天书店有限公司
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读买4/泰安展厅库
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2026-11-13
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2026-11-13
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图书简介 | | 以GaN为衬底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物(包括AlN、GaN、InN及其合金)是极为重要的宽禁带半导体材料，目前氮化物材料和器件的发展十分迅速。本书通过理论介绍与具体实验范例相结合的方式对氮化物半导体材料的测试表征技术进行了介绍，并以氮化物材料为基础系统地介绍了目前广泛应用的氮化物光电与电子器件，使读者能够充分了解二者之间内在的联系与区别。全书共8章，包括氮化物材料基本特性及外延生长技术、新型氮化物异质结构设计及制备、氮化物材料的测试表征技术、氮化物蓝光LED材料与器件、氮化物紫外和深紫外LED材料与器件、氮化镓基二极管、氮化镓基三极管。 |
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