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图书信息
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基于机器学习的GaN HEMT器件建模研究
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| ISBN： | 9787522147826 |
定价： | ￥78.00 |
| 作者： | 张金灿著 |
出版社： | 中国原子能出版社 |
| 出版时间： | 2026年05月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 199页 |
装祯： | 平装 |
中图法： | TN303 |
相关供货商
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供货商名称
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库存量
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库区
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更新日期
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北京人天书店有限公司
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130
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库区6
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2026-07-26
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其它供货商库存合计
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992
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2026-07-23
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图书简介 | | 本书是一本系统介绍GaN HEMT器件建模的最新技术和方法的专业著作。本书全面介绍了GaN HEMT器件的建模与优化技术，涵盖从半导体材料的演进到现代优化算法与机器学习在GaN建模中的应用。内容首先回顾了GaN及其优势，随后深入探讨了微波网络参数、机器学习、小信号建模、噪声建模和大信号建模等核心问题。 |
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