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图书信息
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半导体器件原理
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| ISBN： | 9787309081442 |
定价： | ￥79.00 |
| 作者： | 黄均鼐，汤庭鳌，胡光喜编著 |
出版社： | 复旦大学出版社有限公司 |
| 出版时间： | 2011年01月 |
开本： | 26cm |
| 页数： | 375页 |
中图法： | TN303 |
印次： | 2024.01重印 |
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2026-02-20
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图书简介 | | 本书不仅介绍了传统的p-n结、双极型晶体管、单栅MOS场效应管、功率晶体管等器件的结构、原理和特性，还介绍了新型多栅MOS场效应管、不挥发存储器以及肖特基势垒源/漏结构器件的原理和特性。力求突出器件的物理图像和物理概念，不仅有理论基础知识的阐述，还有新近研究成果的介绍。 |
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