同类推荐
-
-
功率器件多物理场仿真技术:COMSOL原理与操作实例
-
¥198.00
-
-
半导体演义:一颗芯片重塑世界秩序
-
¥99.00
-
-
先进光刻机曝光系统光学设计
-
¥120.00
-
-
先进光刻机曝光系统光学设计
-
¥120.00
-
-
先进光刻机曝光系统光学设计
-
¥120.00
-
-
超低功耗半导体器件与技术
-
¥99.00
-
-
超低功耗半导体器件与技术
-
¥99.00
-
-
超低功耗半导体器件与技术
-
¥99.00
-
-
漫谈半导体器件原理
-
¥89.00
-
-
硅晶圆半导体材料技术
-
¥198.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
半导体材料及器件辐射缺陷与表征方法
|
| ISBN: | 9787576705447 |
定价: | ¥128.00 |
| 作者: | 李兴冀等编著 |
出版社: | 哈尔滨工业大学出版社 |
| 出版时间: | 2023年07月 |
开本: | 24cm |
| 页数: | 401页 |
装祯: | 精装 |
中图法: | TN304;TN303 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
|
|
|
|
|
其它供货商库存合计
|
231
|
|
2026-09-10
|
图书简介 | | 全书共分为4章,系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。空间辐射诱导缺陷是导致电子元器件性能退化的重要原因,然而辐射诱导缺陷的形成、演化和性质与半导体材料本身物理属性、器件类型及结构密切相关。 |
|