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图书信息
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集成电路器件抗辐射加固设计技术
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| ISBN: | 9787030747143 |
定价: | ¥129.00 |
| 作者: | 闫爱斌[等]著 |
出版社: | 科学出版社 |
| 出版时间: | 2023年03月 |
开本: | 24cm |
| 页数: | 214页 |
装祯: | 平装 |
中图法: | TN4 |
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图书简介 | | 本书从集成电路器件可靠性问题出发,具体阐述了辐射环境、辐射效应、软错误和仿真工具等背景知识,详细介绍了抗辐射加固设计(RHBD)技术以及在该技术中常用的相关组件,重点针对表决器、锁存器、主从触发器和静态随机访问存储器(SRAM)单元介绍了经典的和新颖的RHBD技术,扼要描述了相关实验并给出了容错性能和开销对比分析。 |
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