同类推荐
-
-
先进的高压大功率器件:原理、特性和应用
-
¥168.00
-
-
半导体显示电子学
-
¥49.00
-
-
宽禁带功率半导体器件特性测试
-
¥129.00
-
-
宽禁带功率半导体器件特性测试
-
¥129.00
-
-
宽禁带功率半导体器件特性测试
-
¥129.00
-
-
半导体器件基础
-
¥198.00
-
-
LED芯片制造及可靠性测试技术
-
¥188.00
-
-
极硬半导体衬底磨粒加工原理与关键技术
-
¥229.00
-
-
全耗尽绝缘体上硅:纳米器件、机理和表征
-
¥99.90
-
-
半导体手册:基础原理与新兴应用
-
¥109.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
氮化物半导体太赫兹器件
|
| ISBN: | 9787560663128 |
定价: | ¥128.00 |
| 作者: | 冯志红编著 |
出版社: | 西安电子科技大学出版社 |
| 出版时间: | 2022年09月 |
开本: | 24cm |
| 页数: | 307页 |
装祯: | 精装 |
中图法: | TN303 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
|
|
|
|
|
其它供货商库存合计
|
500
|
|
2026-06-10
|
图书简介 | | 随着太赫兹技术的发展,传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升,导致现有的太赫兹源输出功率低,不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点,在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展,包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、倍频器、功率放大器、直接调制器和高灵敏探测器等,涉及器件的基本工作原理、设计方法、工艺方法、测试方法和应用等。 |
|