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图书信息
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宽禁带半导体氧化镓：结构、制备与性能：structure, growth and physical properties
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| ISBN： | 9787560664446 |
定价： | ￥128.00 |
| 作者： | 陶绪堂[等]编著 |
出版社： | 西安电子科技大学出版社 |
| 出版时间： | 2022年09月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 316页 |
装祯： | 精装 |
中图法： | TN304.2 |
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187
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2026-02-13
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图书简介 | | 氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电探测、高亮度LED等方面都具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍。重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、纳米结构及薄膜外延方面的研究成果。系统阐述了获得高质量体块单晶、纳米结构材料及薄膜的思路和方法，并对氧化镓材料的发展进行了综述和展望。 |
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