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图书信息
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改性锗半导体物理
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| ISBN： | 9787560659510 |
定价： | ￥20.00 |
| 作者： | 宋建军，冒剑军，薛笑欢编著 |
出版社： | 西安电子科技大学出版社 |
| 出版时间： | 2020年12月 |
开本： | 26cm |
| 页数： | 106页 |
中图法： | TN304.1 |
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252
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2026-10-26
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图书简介 | | 本书共7章，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。 |
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