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图书信息
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全耗尽绝缘体上硅:纳米器件、机理和表征
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| ISBN： | 9787121522727 |
定价： | ￥99.90 |
| 作者： | (法)Sorin Cristoloveanu著 |
出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版时间： | 2026年03月 |
开本： | 26cm |
| 页数： | 20,264页 |
装祯： | 平装 |
中图法： | TN304.9 |
相关供货商
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供货商名称
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库存量
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库区
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更新日期
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北京人天书店有限公司
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100
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库区13
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2026-05-13
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其它供货商库存合计
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597
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2026-05-13
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图书简介 | | 本书共10章。第1章为FD-SOI技术，主要介绍FD-SOI晶圆的制备工艺和关键技术，包括晶圆键合、切割和优化方法；第2章主要介绍耦合效应，包括FD-SOI器件中的界面耦合机制、阈值电压调节和迁移率耦合；第3章主要介绍尺寸微缩效应，包括短沟道效应、漏致势垒降低和迁移率坍塌等尺寸相关现象；第4章主要介绍浮体效应，包括翘曲、迟滞和锁存等浮体效应类型及其在FD-SOI中的影响；第5章主要介绍赝MOSFET，包括其工作原理、测试方法和在晶圆表征中的应用；第6章主要介绍二极管的表征方法，包括PIN二极管的分离电容、瞬态反向恢复等表征技术；第7章主要介绍FD-SOIMOSFET的表征方法，包括漏极电流线性外推、跨导峰值和固定电流法等基本表征技术。第8章主要介绍静电掺杂及相关器件，包括静电掺杂的基本概念、电荷-等离子体器件和可编程肖特基接触等；第9章主要介绍能带调控器件，包括能带调控器件的原理、稳态特性、建模及其在存储器中的应用；第10章主要介绍新兴器件，包括浮体存储器、隧穿场效应晶体管、四栅晶体管和无结晶体管等新兴器件类型及其特性。 |
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