同类推荐
-
-
RTL设计师面试攻略:芯片从设计到交付的全流程
-
¥68.00
-
-
RTL设计师面试攻略:芯片从设计到交付的全流程
-
¥68.00
-
-
RTL设计师面试攻略:芯片从设计到交付的全流程
-
¥68.00
-
-
Cadence Allegro X 24.1实战必备教程
-
¥65.00
-
-
芯片测试与安全
-
¥59.00
-
-
玩转高速电路:基于ANSYS HFSS的无源仿真实例
-
¥89.00
-
-
玩转高速电路:基于ANSYS HFSS的无源仿真实例
-
¥89.00
-
-
玩转高速电路:基于ANSYS HFSS的无源仿真实例
-
¥89.00
-
-
CMOS射频集成电路设计与仿真
-
¥99.00
-
-
MEMS惯性传感器接口芯片集成技术
-
¥138.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
短沟道MOSFET的高频噪声机理分析与表征
|
| ISBN: | 9787030663009 |
定价: | ¥88.00 |
| 作者: | 王军著 |
出版社: | 科学出版社 |
| 出版时间: | 2020年10月 |
开本: | 24cm |
| 页数: | 149页 |
装祯: | 平装 |
中图法: | TN4 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
|
|
|
|
|
其它供货商库存合计
|
202
|
|
2025-12-19
|
图书简介 | | 本书以不同研究阶段采用的不同方法为脉络,从新型器件研发初始阶段的仿真模拟,递进到基于物理的理论数学模型推导和基于样片测量的实验研究与半经验模型表征,揭示了短沟道器件与长沟道器件高频热噪声机理完全不同的偏置不守恒特性和频率依赖性。最后,介绍了人工智能技术在器件噪声建模中的应用。 |
|