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图书信息
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应变硅纳米MOS器件辐照效应及加固技术
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| ISBN： | 9787511457936 |
定价： | ￥68.00 |
| 作者： | 郝敏如著 |
出版社： | 中国石化出版社 |
| 出版时间： | 2020年05月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 192页 |
中图法： | TN4 |
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2026-01-22
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图书简介 | | 本书首先阐述应变Si技术的优势，研究应变对能带结构的改变及器件电学特性的增强机制，详细分析了γ射线总剂量辐照损伤效应对MOS器件的影响机理；其次，建立应变Si纳米MOS器件阈值电压、跨导等与总剂量辐照以及器件几何、物理参数之间的关系，及栅隧穿及热载流子栅电流模型；最后，研究纳米Si NMOS器件单粒子瞬态效应的相关研究，并提出抗辐照加固的应变Si纳米MOS器件新型器件结构。 |
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