同类推荐
-
-
功率半导体器件原理及设计
-
¥69.00
-
-
碳化硅MOSFET封装、驱动及应用
-
¥79.00
-
-
碳化硅MOSFET封装、驱动及应用
-
¥79.00
-
-
碳化硅MOSFET封装、驱动及应用
-
¥79.00
-
-
半导体器件与工艺
-
¥68.00
-
-
图解功率半导体
-
¥79.00
-
-
图解功率半导体
-
¥79.00
-
-
图解功率半导体
-
¥79.00
-
-
超宽禁带半导体金刚石单晶材料和场效应晶体管
-
¥139.00
-
-
超宽禁带半导体金刚石单晶材料和场效应晶体管
-
¥139.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
低维氮化镓纳米材料掺杂改性及磁性机理
|
| ISBN： | 9787511446381 |
定价： | ￥35.00 |
| 作者： | 陈国祥，王豆豆著 |
出版社： | 中国石化出版社 |
| 出版时间： | 2017年09月 |
开本： | 26cm |
| 页数： | 106页 |
中图法： | TN304.2 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
|
|
|
|
|
其它供货商库存合计
|
14
|
|
2026-01-23
|
图书简介 | | 本书系统地研究了低维氮化镓纳米材料的稳定性、电子、磁性等性质。全书共包括8章：第1章为概述；第2章详细地介绍了第一性原理方法；第3章至第7章采用基于密度泛函框架下的第一性原理系统研究了填充GaN纳米管、缺陷和掺杂GaN纳米带、吸附和掺杂GaN单层纳米片、二维GaN/SiC纳米片的稳定性、电子、磁学特性和磁性起源机理；第8章为本书的结束语。 |
|