同类推荐
-
-
半导体手册:基础原理与新兴应用
-
¥109.00
-
-
半导体光电子学及应用
-
¥69.90
-
-
半导体光电子学及应用
-
¥69.90
-
-
碳化硅MOSFET封装、驱动及应用
-
¥79.00
-
-
碳化硅MOSFET封装、驱动及应用
-
¥79.00
-
-
碳化硅MOSFET封装、驱动及应用
-
¥79.00
-
-
简明光刻手册
-
¥98.00
-
-
玻璃通孔技术
-
¥138.00
-
-
图解功率半导体
-
¥79.00
-
-
超宽禁带半导体金刚石单晶材料和场效应晶体管
-
¥139.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
新型超陡亚阈值斜率晶体管
|
| ISBN: | 9787115680136 |
定价: | ¥149.00 |
| 作者: | 蒋春生,许军,化麒麟著 |
出版社: | 人民邮电出版社 |
| 出版时间: | 2025年12月 |
开本: | 24cm |
| 页数: | 187页 |
装祯: | 精装 |
中图法: | TN32 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
|
|
|
|
|
其它供货商库存合计
|
686
|
|
2026-04-03
|
图书简介 | | 本书围绕超陡亚阚值斜率晶体管的工作原理、电学特性、紧凑建模及实验制备等方面展开介绍,共7章。第1章概述晶体管与集成电路的发展历史、超陡亚阈值斜率晶体管的研究现状和面临的挑战等。第2章介绍环栅负电容隧穿场效应晶体管的解析模型和工作原理等。第3章重点分析硅基多栅负电容场效应晶体管的解析模型和应用等。第4章讨论2D沟道材料负电容场效应晶体管的实验制备、解析建模等。第5章研究负电容氧化物薄膜晶体管的实验制备及工艺优化。第6章提出一种新型负电容无结型场效应晶体管,深入分析该器件的数值仿真研究和解析模型。第7章详细探讨基于原子阈值开关的混合场效应晶体管的实验制备、电学特性、工作机理及应用。 |
|