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图书信息
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氮化镓凹槽阳极器件理论与应用
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| ISBN： | 9787030803894 |
定价： | ￥188.00 |
| 作者： | 张进成著 |
出版社： | 科学出版社 |
| 出版时间： | 2024年12月 |
开本： | 26cm |
| 页数： | 260页 |
中图法： | TN315 |
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498
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2025-12-01
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图书简介 | | 本书共分为8章，内容包括绪论、凹槽阳极GaN肖特基结器件制备工艺、位错免疫的凹槽阳极GaN肖特基结器件结构与特性、凹槽阳极GaN肖特基结开启电压调控方法、面向不同应用的凹槽阳极GaN肖特基二极管、凹槽阳极结构肖特基漏高电子迁移率晶体管、氮化镓p沟道凹槽栅场效应晶体管以及大功率GaN二极管整流和限幅电路。 |
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