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图书信息
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Ⅲ族氮化物半导体低维结构中的自旋轨道耦合效应
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| ISBN： | 9787568713658 |
定价： | ￥68.00 |
| 作者： | 李明著 |
出版社： | 湘潭大学出版社 |
| 出版时间： | 2023年12月 |
开本： | 26cm |
| 页数： | 198页 |
中图法： | TN304 |
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2026-07-02
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图书简介 | | 本书共分为8章，第1章是Ⅲ族氮化物材料研究概况，主要概述Ⅲ族氮化物的研究前沿及热点问题、Ⅲ族氮化物材料中的极化效应、Ⅲ族氮化物半导体的自旋电子学等；第2章是Ⅲ族氮化物中的极化效应，主要介绍自洽求解一维薛定谔方程与泊松方程等；第3章是半导体中的自旋轨道耦合效应；第4章是有限差分方法及转移矩阵方法；第5章是AlGaN/GaN异质结中的自旋劈裂；第6章是AlGaN/GaN量子阱中的自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用；第7章是AlGaN/GaN异质结构中的电子g因子；第8章是AlGaN/GaN异质结构中的电子自旋极化输运。 |
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