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图书信息
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嵌入式锗硅源漏工艺开发
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| ISBN： | 9787309169836 |
定价： | ￥168.00 |
| 作者： | 蒋玉龙，李润领，李中华著 |
出版社： | 复旦大学出版社有限公司 |
| 出版时间： | 2026年01月 |
开本： | 26cm |
| 页数： | 261页 |
装祯： | 精装 |
中图法： | TN402 |
相关供货商
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北京人天书店有限公司
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21
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库区7/样本7
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2026-07-02
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其它供货商库存合计
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132
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2026-07-02
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图书简介 | | 本书基于国内先进芯片生产线的一线工艺开发过程，阐述了完整的开发过程，并从贴近实际生产的角度凝聚若干科学问题，提出解决这些问题的具体方案，并在实际生产的产品中验证了解决方案的科学性和有效性，有力提升了企业高端芯片生产能力。全书以业界28纳米技术线为依托，聚焦嵌入式锗硅源漏工艺的工艺整合设计、沟槽形成与处理、锗硅外延与缺陷控制、锗硅盖帽层形成、全局与局部负载效应控制、锗钻蚀导致的器件失效、热处理导致的短沟道效应退化、离子注入提升源漏接触特性和高频低噪声锗硅源漏工艺开发等主要内容。 |
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