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图书信息
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InAs/AlSb 异质结型射频场效应晶体管技术
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| ISBN： | 9787561281253 |
定价： | ￥58.00 |
| 作者： | 关赫著 |
出版社： | 西北工业大学出版社 |
| 出版时间： | 2022年08月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 192页 |
中图法： | TN386.6 |
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2026-01-22
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图书简介 | | 本书针对InAs/AlSb HEMTs器件开展了系统研究，在器件特性研究、模型建立、电路设计及制备工艺等方面进行了较为深入的探讨。与传统半导体器件GaAs和GaN HEMTs相比，InAs/AlSb HEMTs作为典型的锑基化合物半导体(ABCS)器件具备更高的电子迁移率和电子饱和漂移速度，在高速、低功耗、低噪声等应用方面拥有良好的发展前景。特别在深空探测方面，InAs/A1Sb HEMTs作为深空探测的低噪声放大器(LNA)的候选核心器件具有无可比拟的优势。 |
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