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图书信息
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氮化物宽禁带半导体材料与电子器件
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| ISBN： | 9787030367174 |
定价： | ￥149.00 |
| 作者： | 郝跃，张金风，张进成著 |
出版社： | 科学出版社 |
| 出版时间： | 2013年01月 |
开本： | 25cm |
| 页数： | 11,303页 |
装祯： | 精装 |
| 中图法： | TN304;TN103 |
印次： | 2020.01重印 |
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2026-05-01
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图书简介 | | 本书以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法。该书共14章，内容包括：氮化物材料耳朵基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，A1GaN/GaN和InA1N/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析，GaN HEMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析等。 |
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