同类推荐
-
-
氮化镓单晶材料与器件
-
¥118.00
-
-
氮化镓单晶材料与器件
-
¥118.00
-
-
氮化镓单晶材料与器件
-
¥118.00
-
-
半导体显示电子学
-
¥49.00
-
-
先进的高压大功率器件:原理、特性和应用
-
¥168.00
-
-
宽禁带功率半导体器件特性测试
-
¥129.00
-
-
宽禁带功率半导体器件特性测试
-
¥129.00
-
-
宽禁带功率半导体器件特性测试
-
¥129.00
-
-
半导体器件基础
-
¥198.00
-
-
LED芯片制造及可靠性测试技术
-
¥188.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
功率半导体器件:原理、特性和可靠性:physics, characteristics, reliability
|
| ISBN： | 9787111640295 |
定价： | ￥150.00 |
| 作者： | (德)约瑟夫·卢茨(Joself Lutz)[等]著 |
出版社： | 机械工业出版社 |
| 出版时间： | 2020年01月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 18,554页 |
中图法： | TN303 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
|
|
|
|
|
其它供货商库存合计
|
214
|
|
2026-06-22
|
图书简介 | | 本书介绍了功率半导体器件的原理、结构、特性和可靠性技术，器件部分涵盖了当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、MOSFET、IGBT和功率集成器件等。此外，还包含了制造工艺、测试技术和损坏机理分析。就其内容的全面性和结构的完整性来说，在同类专业书籍中是不多见的。本书内容新颖，紧跟时代发展，除了介绍经典的功率二极管、晶闸管外，还重点介绍了MOSFET、IGBT等现代功率器件，颇为难得的是收入了近年来有关功率半导体器件的最新成果，如SiC、GaN器件，场控宽禁带器件等。本书是一本精心编著、并根据作者多年教学经验和工程实践不断补充更新的好书，相信它的翻译出版必将有助于我国电力电子事业的发展。 |
|