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图书信息
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CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固
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| ISBN： | 9787567304116 |
定价： | ￥36.00 |
| 作者： | 刘必慰著 |
出版社： | 国防科技大学出版社 |
| 出版时间： | 2016年03月 |
开本： | 21cm |
| 页数： | 222页 |
装祯： | 精装 |
中图法： | TN432 |
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50
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2026-08-06
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图书简介 | | 本书针对CMOS集成电路中主要的三种单粒子效应失效模式SEU、SET和MBU，分别从建模和加固两个方面进行了研究，包括RHBD和SOI工艺的加固方法、加固存储单元的多节点翻转的模拟分析、SET脉冲建模和SET错误率计算在内的多项内容。 |
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