同类推荐
-
-
硅基光电集成电路
-
¥159.00
-
-
硅基光电集成电路
-
¥159.00
-
-
硅基光电集成电路
-
¥159.00
-
-
人工智能芯片先进封装关键技术专利分析报告
-
¥148.00
-
-
人工智能芯片先进封装关键技术专利分析报告
-
¥148.00
-
-
嘉立创EDA(专业版)电路设计与制作快速入门
-
¥49.80
-
-
集成电路测试技术与实践
-
¥59.00
-
-
集成电路测试技术与实践
-
¥59.00
-
-
集成电路测试技术与实践
-
¥59.00
-
-
Ansys芯片-封装-系统协同仿真:方法、验证与实践
-
¥99.00
|
|
图书信息
|
|
|
|
CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固
|
| ISBN： | 9787567304116 |
定价： | ￥36.00 |
| 作者： | 刘必慰著 |
出版社： | 国防科技大学出版社 |
| 出版时间： | 2016年03月 |
开本： | 21cm |
| 页数： | 222页 |
装祯： | 精装 |
中图法： | TN432 |
相关供货商
|
供货商名称
|
库存量
|
库区
|
更新日期
|
|
|
|
|
|
|
其它供货商库存合计
|
50
|
|
2025-09-16
|
图书简介 | | 本书针对CMOS集成电路中主要的三种单粒子效应失效模式SEU、SET和MBU，分别从建模和加固两个方面进行了研究，包括RHBD和SOI工艺的加固方法、加固存储单元的多节点翻转的模拟分析、SET脉冲建模和SET错误率计算在内的多项内容。 |
|