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图书信息
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基于机器学习的GaN HEMT器件建模研究
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| ISBN： | 9787522147826 |
定价： | ￥78.00 |
| 作者： | 张金灿著 |
出版社： | 中国原子能出版社 |
| 出版时间： | 2026年05月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 200页 |
中图法： | TN303 |
图书简介 | | 本书是一本系统介绍GaNHEMT器件建模的最新技术和方法的专业著作。通过本书的研究与应用，能够推动GaNHEMT器件在5G6G通信、电力电子、射频功率放大等领域的进一步发展，提升相关电子系统的性能和可靠性，具有重要的学术价值和实际意义。本书全面介绍了GaNHEMT器件的建模与优化技术，涵盖从半导体材料的演进到现代优化算法与机器学习在GaN建模中的应用。内容首先回顾了GaN及其优势，随后深入探讨了微波网络参数、机器学习、小信号建模、噪声建模和大信号建模等核心问题。 |
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