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图书信息
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中国电子信息工程科技发展研究:后摩尔时代微纳新器件电磁场专题
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| ISBN： | 9787030828170 |
定价： | ￥109.00 |
| 作者： | 中国信息与电子工程科技发展战略研究中心[编著] |
出版社： | 科学出版社 |
| 出版时间： | 2025年07月 |
开本： | 21cm |
| 页数： | 15,324页 |
装祯： | 平装 |
中图法： | G203,O441 |
相关供货商
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北京人天书店有限公司
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58
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库区4/样本4
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2026-06-10
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其它供货商库存合计
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202
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2026-06-10
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图书简介 | | 电磁场是现代电子信息技术发展的重要理论基础。后摩尔时代纳米尺度光电信息器件受尺度效应和量子效应的显著影响，导致经典电磁场难以精确预测其电学特性。本书针对这一核心问题，从纳米尺度电磁理论出发，阐述了电磁场量子化理论、计算电磁学、材料学，以及其在纳米尺度光电子器件的应用，为后摩尔时代纳米尺度光电子器件及系统工程设计提供非经典的微观电磁场理论实用框架。本书系统回答了长期困扰科学家和工程师的经典麦克斯韦方程在何种尺度和状态下可精确表述的问题，特别为后摩尔时代新微纳器件进人纳米及几个原子层级，需融合量子动力学、新材料模型、非线性模型以及微观至宏观跨尺度混合模型的泛麦克斯韦方程提供参考。 |
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