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图书信息
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基于新型二维材料异质结电子结构及光电特性的理论研究
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| ISBN： | 9787121505232 |
定价： | ￥99.00 |
| 作者： | 李东翔著 |
出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版时间： | 2025年06月 |
开本： | 24cm |
| 页数： | 268页 |
中图法： | TB383 |
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658
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2026-10-30
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图书简介 | | 本书以设计高性能和自供电光电探测器为目的，围绕新型二维材料异质结的光激发载流子转移、自供电机理和光电特性改善进行研究；利用第一性原理和非绝热分子动力学方法，对GaSe/SnS2、InSe/BP、BP/Cs2SnI4、Cs2SnI2Cl2/Cs2TlI6和GaN/WSe2/MoS2异质结的电子结构进行了计算，分析了界面效应对异质结自供电机制的影响，研究了异质结界面处载流子分离和复合的竞争机制，探究了应变对异质结能带结构及光电特性的调控，为设计和制备高性能自供电光电探测器提供了理论支撑。 |
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