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图书信息
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硅基半导体应变理论与生长动力学
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| ISBN： | 9787560675039 |
定价： | ￥47.00 |
| 作者： | 戴显英等著 |
出版社： | 西安电子科技大学出版社 |
| 出版时间： | 2025年03月 |
开本： | 26cm |
| 页数： | 189页 |
装祯： | 平装 |
中图法： | O47 |
相关供货商
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供货商名称
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库存量
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库区
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更新日期
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北京人天书店有限公司
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3
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库区4/库区7/样本3
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2026-11-13
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其它供货商库存合计
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146
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2026-11-13
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图书简介 | | 本书分为9章，主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半导体应变能带理论与空间群、应变锗能带结构计算、硅基半导体应变弹塑性力学理论、临界带隙应变Ge1-xSnx合金能带特性与迁移率计算、硅基半导体应变材料的RPCVD计算流体动力学模拟研究、硅基半导体应变材料CVD生长机理与生长动力学模型、硅基半导体应变材料的缺陷形成机理与控制方法、硅基半导体应变材料的生长动力学与制备实验等。 |
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