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图书信息
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电子器件的电离辐射效应：从存储器到图像传感器：from memories to imagers
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| ISBN： | 9787121442063 |
定价： | ￥119.00 |
| 作者： | (意)Marta Bagatin，(意)Simone Gerardin主编 |
出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版时间： | 2022年09月 |
开本： | 26cm |
| 页数： | 20,299页 |
中图法： | TN6 |
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8
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2026-08-06
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图书简介 | | 本书完整地涵盖了先进半导体的电离辐射效应，深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容：商用数字集成电路的辐射效应，包括微处理器、易失性存储器(SRAM和DRAM)和快闪存储器，数字电路、现场可编程门阵列(FPGA)和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案；纤维光学和成像器件(包括CMs图像传感器和电荷耦合器件CCD)的辐射效应。 |
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