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图书信息
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模拟CMOS集成电路设计
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| ISBN： | 9787569309928 |
定价： | ￥138.00 |
| 作者： | (美)毕查德·拉扎维(Behzad,Razavi)著 |
出版社： | 西安交通大学出版社 |
| 出版时间： | 2018年12月 |
版次： | 2版 |
| 开本： | 26cm |
页数： | 14,10,724页 |
中图法： | TN432.02 |
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4922
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2026-07-20
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图书简介 | | 本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的最新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 |
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