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图书信息
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模拟CMOS集成电路设计
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ISBN: | 9787569309928 |
定价: | ¥138.00 |
作者: | (美)毕查德·拉扎维(Behzad,Razavi)著 |
出版社: | 西安交通大学出版社 |
出版时间: | 2018年12月 |
版次: | 2版 |
开本: | 26cm |
页数: | 14,10,724页 |
中图法: | TN432.02 |
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2025-10-13
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图书简介 | 本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材,介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计,着重讲解该技术的最新进展和设计实例,从MOSFET器件的基本物理特性开始,逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。 |
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